Гайдар, Г. П.     Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій [Текст] / Г. П. Гайдар, М. Б. Пінковська, М. І. Старчик // Доповіді Національної академії наук України. - 2021. - № 1. - С. 39-50. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки Кл.слова (ненормовані): Смуга гальмування -- Структура дефективна -- Дефект пакування -- Радіаційний дефект -- Іонно-променева модифікація -- Модифікований кремній Анотація: Виявлено, що опромінення дислокаційного кремнію іонами дейтерію призводить до руху дислокацій у процесі опромінення та до перетину ними лінії гальмування дейтронів унаслідок утворення дефектів пакування. Дод.точки доступу: Пінковська, М. Б.; Старчик, М. І.