Чернівецька ОУНБ ім. М. Івасюка

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Генеральний каталог ЧОУНБ

Картотека аналітичного опису періодичних видань

Бібліотека М.М.Фатова

Бібліотека О.М.Масана

Бібліотека О.С.Романця

Бібліотека Т.В.Покотило

Бібліотека В.І.Михайловсього

Шевченко Т. Г.

Хотинська бібліотека

Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера

Бібліотека Д.М.Гнатюка

Бібліотека В.Д.Бялика

Бібліотека Т.П.Смолдиревої

Бібліотека І.Г.Чеховського

Бібліотека Я.Д.Кіршенблата

Зона пошуку

у знайденому

Знайдено у інших БД:

Генеральний каталог ЧОУНБ (43)

Буковина (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>K=напівпровідники<.>

Загальна кількість знайдених документів : 25
Показані документи с 1 за 20

1-20 21-25

Баранський, П.
Нова ера напівпровідників [Текст] / П.Баранський // Наука і суспільство. - 2000. - N9-10. - С. 11-13
Рубрики: Напівпровідники

Знайти схожі

Бендес, Юрій.
Вивчення теми "Напівпровідники" з використанням компютерних технологій [Текст] / Ю. Бендес; О. Піскун // Фізика та астрономія в школі. - 2010. - № 11/12. - С. 38-43 : мал. - бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Вивчення--Нові інформаційні технології
Кл.слова (ненормовані):
Інтерактивні курси, електроні підручники, інформаційні ресурси
Анотація: Впровадження сучасних компютерних технологій в освітню діяльність є одним з пріоритетів її розвитку, одним із чинників ефективної підготовки до життєдіяльності в інформаційному суспільстві.

Є примірники у відділах: всього 1 : ЧЗ (1)
Вільні: ЧЗ (1)

Знайти схожі

    Мачулін, Володимир.
    Напівпровідники в усіх вимірах. Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України - 50 років! [Текст] / Володимир Мачулін // Вісник Національної академії наук України. - 2010. - № 10. - С. 42-46. : фото
Рубрики: Вчені--Фізики--Україна, 20 ст.
   Вищі навчальні заклади--Інститути--Україна
Анотація: В статті подана історія розвитку Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

Дод.точки доступу:
Лашкарьов, В. Є. \о нем\

Знайти схожі

Хмара, В. А.
Пробник диодов [Текст] / В. А. Хмара // Радіоаматор. - 2011. - №4 . - С. 47-50 : рис.
Рубрики: Діоди
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідники -- індикатор -- світлодіод
Анотація: Эта разработка была выполнена в кружке радиоконструирования Житомирского городского центра научно-технического творчества учащейся молодежи, как решение одной из семнадцати задач ХIII Всеукраинского открытого турнира юных изобретателей и рационализаторов 2010г. Статья будет полезна руководителям радиокружков и начинающим радиолюбителям.

Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТН (1)
Вільні: ВДЕТН (1)

Знайти схожі

621.315.592
Б 243

Баранський, П. І.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

621.315.592

Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Фонон -- Еліпсоїд ізоенергетичний -- Симетрія кубічна -- Термоерс електронна -- Термоерс фононна -- Розсіяння фононів
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

Васильев, И.
Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах [Текст] / Игорь Васильев // Радіоаматор. - 2013. - № 6. - С. 27 : рис.
Рубрики: Електронні пристрої
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідникові прилади -- силові напівпровідники -- електронні компоненти
Анотація: IXYS Corporation, лидер в производстве силовых полупроводников и IC-технологии для энергоэффективных продуктов, используемых в сфере преобразования энергии и устройствах управления электродвигателями, объявил о запуске изделий в корпусах с более высоким током утечки D2-Pak (TO-263) и D3-Pak (TO-268). Что позволяет использовать компоненты для поверхностного монтажа (SMD) в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением.

Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТН (1)
Вільні: ВДЕТН (1)

Знайти схожі

612.315.592
Б 243

Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

612.315.592

Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

    Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії [Текст] / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай, Т. В. Волкова // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 11. - С. 90-95. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Напівпровідники--Електронні напівпровідники--Дефекти
Кл.слова (ненормовані):
Надкомірка -- Метод Чохральського -- Момент магнітний
Анотація: Електронний спектр надкомірки 64 атомів Si, що містить дилокований атом О в міжвузловому положенні, розрахований методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Обговорюються зміни густини електронних станів, а також можливість формування магнітних моментів на дислокаційних обірваних зв'язків.

Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, В. А.; Плющай, О. І.; Волкова, Т. В.

Знайти схожі

    Білоголовський, Михайло Олександрович.
    Мемристор - новий нанорозмірний елемент електронної схемотехніки [Текст] / Михайло Олександрович Білоголовський // Вісник Національної академії наук України. - 2014. - № 2. - С. 32-39 : рис. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники
   Нанотехнології--Електронні технології
   Мікроелектроніка--Мемристори
Кл.слова (ненормовані):
мікроелектроніка -- резистивні перемикання -- електроміграція -- кисневі вакансії -- комп'ютерна пам'ять -- нейроморфні мережі
Анотація: У 2008 р. було оголошено про створення мемристора, четвертого базового компонента електронних схем зі здатністю накопичувати інформацію щодо заряду, який пройшов крізь нього. В огляді йдеться про історію цього відкриття, його значущість для подальшого розвитку мікро- і наноелектроніки, фундаментальні аспекти проблеми, а також про внесок українських дослідників у їх розв'язання. Обговорено переваги мемристора порівняно з традиційними елементами електронної схемотехніки та перспективи його практичного застосування.

Знайти схожі

10.

    Баранський, П. І.
    Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор
Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

11.

    Гайдар, Г. П.
    Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Електронні напівпровідники--Електронні властивості
Кл.слова (ненормовані):
Германій -- Тензоопір -- Зона провідності -- Шкала енергій -- Дослід Сміта
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

12.

    Савкіна, Р. К.
    Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [Текст] / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 7. - С. 70-78. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури і перетворення--Кристалічні та інші структури
   Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Ультразвук -- Кавітація акустична -- Тиск акустичний -- Оптоелектроніка -- Рідина кріогенна
Анотація: Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.

Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.

Знайти схожі

13.

    Горкавенко, Т. В.
    Першопринципний розрахунок рівноважного положення та електронних спектрів домішок кисню і вуглецю в кремнії [Текст] / Т. В. Горкавенко, І. В. Плющай, В. А. Макара // Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 6. - С. 65-71. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Напівпровідники--Електронні напівпровідники--Дефекти
Кл.слова (ненормовані):
Дефект точковий -- Надкомірка -- Кристал
Анотація: Проведено ab initio розрахунок рівноважного положення домішкових атомів кисню та вуглецю в нанокомірці з 64 атомів кремнію методом функціонала густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакета програм ABINIT.

Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, В. А.

Знайти схожі

14.

    Гайдар, Г. П.
    Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 7. - С. 62-69. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Електронні напівпровідники--Дефектоутворення у кристалах
   Машинобудування--Фізичні основи машинобудування та техніки--Прикладна ядерна фізика й атомна енергетика
Кл.слова (ненормовані):
Ядерна безпека -- Радіаційна стійкість -- Нейтрони швидкі -- Опромінення
Анотація: У зразках Cz-Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

15.

Васильев, Игорь.
Новые IGBT для аппаратов аргонодуговой сварки и не только [Текст] / И. Васильев // Радиоаматор. - 2016. - № 7/8. - С. 27 : фот.
Рубрики: Зварювання--Інтегральні мікросхеми--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
інтегральні схеми -- резистори -- діоди -- транзистори
Анотація: В этой статье представлены модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), которые рассчитаны, в первую очередь, на применение в схемах современных аппаратов аргонодуговой (TIG) сварки.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

16.

    Радченко, А. І.
    Революційні інновації у світі (за даними звіту медіакомпанії Thomson Reuters, 2016 р.) [Текст] / А.І. Радченко // Наука та інновації. - 2016. - № 6. - С. 69-74
Рубрики: Аерокосмічна і оборонна промисловість--Автомобільна промисловість--Біотехнології--Косметика і здоров'я
   Харчова промисловість--Побутова техніка--Інформаційні технології--Медичне обладнання
   Нафта і газ--Фармацевтика--Напівпровідники--телекомунікації
Анотація: У цьогорічному звіті наведено порівняння кількості публікацій та патентів 2015 і 2014 рр., вказано тенденцію за останні 7 років

Знайти схожі

17.

Кашкаров, Андрей.
Тензорезисторы [Текст] / Андрей Кашкаров // Радиоаматор. - 2016. - № 11/12. - С. 14-17 : рис.
Рубрики: Радіоелектронна апаратура
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідники -- давачі -- перетворювачі частоти
Анотація: В статье рассматриваются конструктивные особенности и основные параметры такого датчика для измерения величины механической деформации, как тензорезисторы.

Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

18.

    Гайдар, Г. П.
    Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем
   Напівпровідники--анізотропні --Термоелектричні ефекти
   Фізика--Термоелектрика--Матеріалознавство
Кл.слова (ненормовані):
Час релаксації -- Кремній -- Германій -- Формула Писаренка
Анотація: При Т=85 К на кристалах кремнію та германію досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

19.

Шерстюк, Николай.
Однопереходной транзистор [Текст] / Николай Шерстюк, Игорь Безверхний // Радиоаматор. - 2017. - № 2. - С. 32-35 : рис.
Рубрики: Радіоелектронна апаратура--Транзистори
Кл.слова (ненормовані):
тиристори -- конденсатори -- напівпровідники
Анотація: Однопереходные транзисторы в 60-80-е годы прошлого века использовались в импульсной и измерительной технике. Позже они начали вытесняться более современными электронными компонентами и схемотехническими решениями. Авторы статьи надеются, что их статья восполнит этот пробел у начинающих радиолюбителей и напомнит более опытным коллегам о существовании этих приборов.

Дод.точки доступу:
Безверхний, Игорь
Немає відомостей про примірники (Джерело у БД не знайдене)

Знайти схожі

20.

    Гайдар, Г. П.
    Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С. 58-66. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Кл.слова (ненормовані):
Дефект -- Гратка -- Домішка -- Миш'як -- Легування сильне
Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.

Знайти схожі

1-20 21-25

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)