Чернівецька ОУНБ ім. М. Івасюка

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Генеральний каталог ЧОУНБ

Картотека аналітичного опису періодичних видань

Бібліотека М.М.Фатова

Бібліотека О.М.Масана

Бібліотека О.С.Романця

Бібліотека Т.В.Покотило

Бібліотека В.І.Михайловсього

Шевченко Т. Г.

Хотинська бібліотека

Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера

Бібліотека Д.М.Гнатюка

Бібліотека В.Д.Бялика

Бібліотека Т.П.Смолдиревої

Бібліотека І.Г.Чеховського

Бібліотека Я.Д.Кіршенблата

Зона пошуку

Знайдено у інших БД:

Генеральний каталог ЧОУНБ (1)

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>A=Баранський, П.$<.>

Загальна кількість знайдених документів : 8
Показані документи с 1 за 8

Баранський, П.
Нова ера напівпровідників [Текст] / П.Баранський // Наука і суспільство. - 2000. - N9-10. - С. 11-13
Рубрики: Напівпровідники

Знайти схожі

    Мачулін, В.
    Фундаментальна наука і суспільний поступ [Текст] / В. Мачулін, П. Баранський // Вісник Національної академії наук України. - 2007. - № 2. - С. 45-52. - Бібліогр.: 31 назв.
Рубрики: Наука--Розвиток і управління--Україна
   Фізика--Дослідження--Нанотехнології
   Енергетичні ресурси--Використання--Екологічні проблеми
Кл.слова (ненормовані):
Люмінесценція -- Інтегральні схеми -- Ядерна зброя
Анотація: Мета статті полягає в ознайомлені основного призначення фундаментальної науки - встановлення закономірностей певних явищ і процесів, що відбуваються у природі і суспільстві, добування нового знання, пошук істини.

Дод.точки доступу:
Баранський, П.

Знайти схожі

621.315.592
Б 243

Баранський, П. І.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

621.315.592

Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Фонон -- Еліпсоїд ізоенергетичний -- Симетрія кубічна -- Термоерс електронна -- Термоерс фононна -- Розсіяння фононів
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

612.315.592
Б 243

Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

612.315.592

Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

    Баранський, П. І.
    Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор
Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Електронні напівпровідники--Електронні властивості
Кл.слова (ненормовані):
Германій -- Тензоопір -- Зона провідності -- Шкала енергій -- Дослід Сміта
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 7. - С. 62-69. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Електронні напівпровідники--Дефектоутворення у кристалах
   Машинобудування--Фізичні основи машинобудування та техніки--Прикладна ядерна фізика й атомна енергетика
Кл.слова (ненормовані):
Ядерна безпека -- Радіаційна стійкість -- Нейтрони швидкі -- Опромінення
Анотація: У зразках Cz-Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем
   Напівпровідники--анізотропні --Термоелектричні ефекти
   Фізика--Термоелектрика--Матеріалознавство
Кл.слова (ненормовані):
Час релаксації -- Кремній -- Германій -- Формула Писаренка
Анотація: При Т=85 К на кристалах кремнію та германію досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)