Чернівецька ОУНБ ім. М. Івасюка

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Генеральний каталог ЧОУНБ

Картотека аналітичного опису періодичних видань

Бібліотека М.М.Фатова

Бібліотека О.М.Масана

Бібліотека О.С.Романця

Бібліотека Т.В.Покотило

Бібліотека В.І.Михайловсього

Шевченко Т. Г.

Хотинська бібліотека

Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера

Бібліотека Д.М.Гнатюка

Бібліотека В.Д.Бялика

Бібліотека Т.П.Смолдиревої

Бібліотека І.Г.Чеховського

Бібліотека Я.Д.Кіршенблата

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Фізика -- Фізична природа матерії -- Властивості та структура молекулярних систем -- Дефекти та домішки<.>

Загальна кількість знайдених документів : 6
Показані документи с 1 за 6

538.9
К 637

Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію [Текст] / І. М. Вишневський [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 3. - С. 92-98. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

538.9

Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
Кл.слова (ненормовані):
Дефект -- Дефект Шоткі -- Пара Френеля -- Атом проникнення -- Вакансія -- Дивакансія -- Енергія утворення
Анотація: Застосовано метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів.

Дод.точки доступу:
Вишневський, І. М.; Гонтарук, О. М.; Конорева, О. В.; Литовченко, П. Г.; Манжара, В. С.; Пінковська, М. Б.; Тартачник, В. П.

Знайти схожі

539.219
О-261

Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію [Текст] / В. А. Макара [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 71-74. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

539.219

Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
Кл.слова (ненормовані):
Релаксація структурна -- Мікропластичність -- Дефект радіаційний
Анотація: Виявлено особливості в динамічній поведінці дислокацій, які проявляються при самостійній дії рентгенівського випромінювання, а також при комбінованому впливі на кристал кремнію.

Дод.точки доступу:
Макара, В. А.; Стебленко, Л. П.; Кріт, О. М.; Калініченко, Д. В.; Курилюк, А. М.; Науменко, С. М.

Знайти схожі

    Вплив молекулярної маси на властивості поліетиленгліколей, допованих багатошаровими вуглецевими нанотрубками [Текст] / Л. А. Булавін, І. А. Мельник, А. І. Гончарук [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 8. - С. 72-78. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
   Нанокластерні та нанокристалічні матеріали--Наноструктури
   Хімічна технологія--Полімерні матеріали
Кл.слова (ненормовані):
Електропровідність -- Ступінь кристалічності -- Властивості теплофізичні
Анотація: Методом диференційної скануючої калориметрії та дослідженням електричної провідності вивчено вплив допування багатошаровим вуглецевими нанотрубками на властивості поліетиленгліколей різних молекулярних мас. Досліджено залежності ступеня кристалічності полімерів, а також температурну поведінку електропровідності при різних концентраціях.

Дод.точки доступу:
Булавін, Л. А.; Мельник, І. А.; Гончарук, А. І.; Клепко, В. В.; Лебовка, М. І.; Лисенков, Е. А.

Знайти схожі

    Горкавенко, Т. В.
    Першопринципний розрахунок рівноважного положення та електронних спектрів домішок кисню і вуглецю в кремнії [Текст] / Т. В. Горкавенко, І. В. Плющай, В. А. Макара // Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 6. - С. 65-71. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Напівпровідники--Електронні напівпровідники--Дефекти
Кл.слова (ненормовані):
Дефект точковий -- Надкомірка -- Кристал
Анотація: Проведено ab initio розрахунок рівноважного положення домішкових атомів кисню та вуглецю в нанокомірці з 64 атомів кремнію методом функціонала густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакета програм ABINIT.

Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, В. А.

Знайти схожі

    Хорошун, Л. П.
    Эффективные упругие свойства зернистых стохастических композитов при несовершенной адгезии [Текст] / Л. П. Хорошун, О. И. Левчук // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 12. - С. 33-44. - Библиогр. в конце ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація
   Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
Кл.слова (ненормовані):
Слой -- Адгезия -- Сцепление -- Смачивание -- Матрица -- Включения -- Армирование
Анотація: Досліджено ефективні пружні властивості трикомпонентного композитного матеріалу, що складається з матриці, вкючень і міжфазних пористих шарів. Побудовано криві залежностей ефективних модулів об'ємного стиску і зсуву від об'ємного вмісту включень і пористості міжфазних шарів.

Дод.точки доступу:
Левчук, О. И.

Знайти схожі

Гайдар, Г. П.
Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій [Текст] / Г. П. Гайдар, М. Б. Пінковська, М. І. Старчик // Доповіді Національної академії наук України. - 2021. - № 1. - С. 39-50. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
Кл.слова (ненормовані):
Смуга гальмування -- Структура дефективна -- Дефект пакування -- Радіаційний дефект -- Іонно-променева модифікація -- Модифікований кремній
Анотація: Виявлено, що опромінення дислокаційного кремнію іонами дейтерію призводить до руху дислокацій у процесі опромінення та до перетину ними лінії гальмування дейтронів унаслідок утворення дефектів пакування.

Дод.точки доступу:
Пінковська, М. Б.; Старчик, М. І.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)