Чернівецька ОУНБ ім. М. Івасюка

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Генеральний каталог ЧОУНБ

Картотека аналітичного опису періодичних видань

Бібліотека М.М.Фатова

Бібліотека О.М.Масана

Бібліотека О.С.Романця

Бібліотека Т.В.Покотило

Бібліотека В.І.Михайловсього

Шевченко Т. Г.

Хотинська бібліотека

Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера

Бібліотека Д.М.Гнатюка

Бібліотека В.Д.Бялика

Бібліотека Т.П.Смолдиревої

Бібліотека І.Г.Чеховського

Бібліотека Я.Д.Кіршенблата

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Фізика -- Електрика та магнетизм -- Електричний струм -- Провідність у напівпровідниках<.>

Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4

612.315.592
Б 243

Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

612.315.592

Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 7. - С. 62-69. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
   Електронні напівпровідники--Дефектоутворення у кристалах
   Машинобудування--Фізичні основи машинобудування та техніки--Прикладна ядерна фізика й атомна енергетика
Кл.слова (ненормовані):
Ядерна безпека -- Радіаційна стійкість -- Нейтрони швидкі -- Опромінення
Анотація: У зразках Cz-Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора.

Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С. 58-66. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Кл.слова (ненормовані):
Дефект -- Гратка -- Домішка -- Миш'як -- Легування сильне
Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2020. - № 5. - С. 42-51. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Термодинаміка--Вплив відведення тепла на об'єм і структуру тіл
   Електронні напівпровідники--Електронні властивості
   Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Кл.слова (ненормовані):
Відпал -- Фосфор -- Центр донорний -- Трансмутація ядерна
Анотація: Виявлено вплив як тривалості термічного відпалу, так і швидкості охолодження на зміну структури й електрофізичних характеристик.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)