Чернівецька ОУНБ ім. М. Івасюка

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Генеральний каталог ЧОУНБ

Картотека аналітичного опису періодичних видань

Бібліотека М.М.Фатова

Бібліотека О.М.Масана

Бібліотека О.С.Романця

Бібліотека Т.В.Покотило

Бібліотека В.І.Михайловсього

Шевченко Т. Г.

Хотинська бібліотека

Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера

Бібліотека Д.М.Гнатюка

Бібліотека В.Д.Бялика

Бібліотека Т.П.Смолдиревої

Бібліотека І.Г.Чеховського

Бібліотека Я.Д.Кіршенблата

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Електроніка -- Електронні напівпровідники<.>

Загальна кількість знайдених документів : 6
Показані документи с 1 за 6

612.315.592
Б 243

Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.

УДК

612.315.592

Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.

Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

    Білоголовський, Михайло Олександрович.
    Мемристор - новий нанорозмірний елемент електронної схемотехніки [Текст] / Михайло Олександрович Білоголовський // Вісник Національної академії наук України. - 2014. - № 2. - С. 32-39 : рис. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники
   Нанотехнології--Електронні технології
   Мікроелектроніка--Мемристори
Кл.слова (ненормовані):
мікроелектроніка -- резистивні перемикання -- електроміграція -- кисневі вакансії -- комп'ютерна пам'ять -- нейроморфні мережі
Анотація: У 2008 р. було оголошено про створення мемристора, четвертого базового компонента електронних схем зі здатністю накопичувати інформацію щодо заряду, який пройшов крізь нього. В огляді йдеться про історію цього відкриття, його значущість для подальшого розвитку мікро- і наноелектроніки, фундаментальні аспекти проблеми, а також про внесок українських дослідників у їх розв'язання. Обговорено переваги мемристора порівняно з традиційними елементами електронної схемотехніки та перспективи його практичного застосування.

Знайти схожі

    Баранський, П. І.
    Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор
Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.

Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

    Савкіна, Р. К.
    Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [Текст] / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 7. - С. 70-78. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури і перетворення--Кристалічні та інші структури
   Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Ультразвук -- Кавітація акустична -- Тиск акустичний -- Оптоелектроніка -- Рідина кріогенна
Анотація: Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.

Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С. 58-66. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Кл.слова (ненормовані):
Дефект -- Гратка -- Домішка -- Миш'як -- Легування сильне
Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.

Знайти схожі

    Гайдар, Г. П.
    До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристографічних напрямках 110 [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 5. - С. 67-74. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники
   Кристалографія--Кристалічні грати
Кл.слова (ненормовані):
Тиск гідростатичний -- Германій -- Кремній -- Велетроніка
Анотація: У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розрахувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків.

Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)