Головна Спрощенний режим Опис
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Пошуковий запит: <.>K=Еліпсоїд ізоенергетичний<.>
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.
621.315.592
Б 243


    Баранський, П. І.
    Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.
УДК
Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Фонон -- Еліпсоїд ізоенергетичний -- Симетрія кубічна -- Термоерс електронна -- Термоерс фононна -- Розсіяння фононів
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.


Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)