Головна Спрощенний режим Опис
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку
Генеральний каталог ЧОУНБ
Картотека аналітичного опису періодичних видань
Каталог журналів
Каталог газет
Буковина
Бібліотека П.В.Рихла
Бібліотека М.М.Фатова
Бібліотека О.М.Масана
Бібліотека О.С.Романця
Бібліотека Т.В.Покотило
Бібліотека В.І.Михайловсього
Шевченко Т. Г.
Хотинська бібліотека
Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера
Бібліотека Д.М.Гнатюка
Бібліотека В.Д.Бялика
Бібліотека Т.П.Смолдиревої
Бібліотека І.Г.Чеховського
Бібліотека Я.Д.Кіршенблата
Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повний інформаційнийкороткий
Пошуковий запит: <.>U=612.315.592<.>
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 612.315.592/Б 243
Автор(и) : Баранський П. І., Бабич В. М., Гайдар Г. П.
Назва : Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С.87-92
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
УДК : 612.315.592
Предметні рубрики: Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Електроніка-- Електронні напівпровідники
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.
Знайти схожі
 
Стандартний
Розширений
Професійний
Розподілений
За словником
ДРНТІ-навігатор
УДК-навігатор
ББК-навігатор
Тематичний навігатор
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)