Головна Спрощенний режим Опис
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повний інформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>S=Фізика -- Електрика та магнетизм -- Електричний струм -- Провідність у напівпровідниках<.>
Загальна кількість знайдених документів : 4
Показані документи с 1 за 4
1.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 612.315.592/Б 243
Автор(и) : Баранський П. І., Бабич В. М., Гайдар Г. П.
Назва : Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С.87-92
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
УДК : 612.315.592
Предметні рубрики: Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Електроніка-- Електронні напівпровідники
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.
Знайти схожі

2.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Гайдар Г. П., Баранський П. І.
Назва : Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 7. - С.62-69
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Фізика-- Фізика конденсованої матерії-- Процеси переносу-- Електронні процеси переносу
Фізика-- Фізика конденсованої матерії-- Структури й перетворення-- Електронні стани та електронні структури
Електронні напівпровідники-- Дефектоутворення у кристалах
Машинобудування-- Фізичні основи машинобудування та техніки-- Прикладна ядерна фізика й атомна енергетика
Анотація: У зразках Cz-Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора.
Знайти схожі

3.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Гайдар Г. П.
Назва : Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С.58-66
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Електроніка-- Електронні напівпровідники
Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.
Знайти схожі

4.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Гайдар Г. П.
Назва : Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2020. - № 5. - С.42-51
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Фізика-- Термодинаміка-- Вплив відведення тепла на об'єм і структуру тіл
Електронні напівпровідники-- Електронні властивості
Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Анотація: Виявлено вплив як тривалості термічного відпалу, так і швидкості охолодження на зміну структури й електрофізичних характеристик.
Знайти схожі

 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)