Чернівецька ОУНБ ім. М. Івасюка

Головна

Спрощенний режим

Опис

Бази даних

Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Генеральний каталог ЧОУНБ

Картотека аналітичного опису періодичних видань

Бібліотека М.М.Фатова

Бібліотека О.М.Масана

Бібліотека О.С.Романця

Бібліотека Т.В.Покотило

Бібліотека В.І.Михайловсього

Шевченко Т. Г.

Хотинська бібліотека

Нотна бібліотека Й.М.Ельгісера

Бібліотека Д.М.Гнатюка

Бібліотека В.Д.Бялика

Бібліотека Т.П.Смолдиревої

Бібліотека І.Г.Чеховського

Бібліотека Я.Д.Кіршенблата

Зона пошуку

Формат представлення знайдених документів:
повний	інформаційний	короткий

Відсортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання	типом документа

Пошуковий запит: <.>S=Електроніка -- Електронні напівпровідники<.>

Загальна кількість знайдених документів : 6
Показані документи с 1 за 6

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Білоголовський, Михайло Олександрович
Назва : Мемристор - новий нанорозмірний елемент електронної схемотехніки
Місце публікування : Вісник Національної академії наук України. - 2014. - № 2. - С. 32-39: рис.
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Електроніка-- Електронні напівпровідники
Нанотехнології-- Електронні технології
Мікроелектроніка-- Мемристори
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): мікроелектроніка--резистивні перемикання--електроміграція--кисневі вакансії--комп'ютерна пам'ять--нейроморфні мережі
Анотація: У 2008 р. було оголошено про створення мемристора, четвертого базового компонента електронних схем зі здатністю накопичувати інформацію щодо заряду, який пройшов крізь нього. В огляді йдеться про історію цього відкриття, його значущість для подальшого розвитку мікро- і наноелектроніки, фундаментальні аспекти проблеми, а також про внесок українських дослідників у їх розв'язання. Обговорено переваги мемристора порівняно з традиційними елементами електронної схемотехніки та перспективи його практичного застосування.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Назва : Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С.70-75
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Фізика-- Фізика конденсованої матерії-- Процеси переносу-- Електронні процеси переносу
Електроніка-- Електронні напівпровідники
Фізика-- Термоелектрика
Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання : 612.315.592/Б 243
Автор(и) : Баранський П. І., Бабич В. М., Гайдар Г. П.
Назва : Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С.87-92
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
УДК : 612.315.592
Предметні рубрики: Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Електроніка-- Електронні напівпровідники
Анотація: У широкому інтервалі концентрацій носіїв заряду при Т=77,4 К в дослідах з монокристалами кремнію n-типу експериментально одержано залежність граничних значень тензоопору від концентрації, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анізотропії рухливості (а також, і параметра анізотропії розсіяння) для області азотних температур у припущенні, що досліджувані кристали є практично не компенсованими.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Гайдар Г. П.
Назва : До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристографічних напрямках 110
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 5. - С.67-74
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Електроніка-- Електронні напівпровідники
Кристалографія-- Кристалічні грати
Анотація: У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розрахувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Гайдар Г. П.
Назва : Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С.58-66
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Електроніка-- Електронні напівпровідники
Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках
Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.
Знайти схожі

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Савкіна Р. К., Смірнов О. Б.
Назва : Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 7. - С.70-78
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
Предметні рубрики: Фізика-- Фізика конденсованої матерії-- Структури і перетворення-- Кристалічні та інші структури
Електроніка-- Електронні напівпровідники
Анотація: Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.
Знайти схожі

© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)