Головна Спрощенний режим Опис
Авторизація
Прізвище
Пароль
 

Бази даних


Картотека аналітичного опису періодичних видань- результати пошуку

Вид пошуку

Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційний короткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: <.>S=Електроніка -- Електронні напівпровідники<.>
Загальна кількість знайдених документів : 6
Показані документи с 1 за 6
1.

Білоголовський Мемристор - новий нанорозмірний елемент електронної схемотехніки/Михайло Олександрович Білоголовський // Вісник Національної академії наук України, 2014. т.№ 2.-С.32-39
2.

Баранський П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si/П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України, 2014. т.№ 5.-С.70-75
3.

Баранський П. І. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si/П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України, 2013. т.№ 9.-С.87-92
4.

Гайдар Г. П. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристографічних напрямках <110>/Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України, 2019. т.№ 5.-С.67-74
5.

Гайдар Г. П. Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge під впливом термовідпалів/Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України, 2018. т.№ 6.-С.58-66
6.

Савкіна Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті/Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної академії наук України, 2015. т.№ 7.-С.70-78
 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)