Форма документа : Стаття із журналу Шифр видання : Автор(и) : Гайдар Г. П., Баранський П. І. Назва : Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 7. - С.62-69 Примітки : Бібліогр. в кінці ст. Предметні рубрики: Фізика-- Електрика та магнетизм-- Електричний струм-- Провідність у напівпровідниках Фізика-- Фізика конденсованої матерії-- Процеси переносу-- Електронні процеси переносу Фізика-- Фізика конденсованої матерії-- Структури й перетворення-- Електронні стани та електронні структури Електронні напівпровідники-- Дефектоутворення у кристалах Машинобудування-- Фізичні основи машинобудування та техніки-- Прикладна ядерна фізика й атомна енергетика Анотація: У зразках Cz-Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi (Ge) швидкими нейтронами реактора. Дод.точки доступу: Баранський, П. І.